dor_id: 1500567

506.#.#.a: Público

650.#.4.x: Físico Matemáticas y Ciencias de la Tierra

336.#.#.b: other

336.#.#.3: Registro de colección de proyectos

336.#.#.a: Registro de colección universitaria

351.#.#.b: Proyectos Universitarios PAPIIT (PAPIIT)

351.#.#.a: Colecciones Universitarias Digitales

harvesting_group: ColeccionesUniversitarias

270.1.#.p: Dirección General de Repositorios Universitarios. contacto@dgru.unam.mx

590.#.#.c: Otro

270.#.#.d: MX

270.1.#.d: México

590.#.#.b: Concentrador

883.#.#.u: https://datosabiertos.unam.mx/

883.#.#.a: Portal de Datos Abiertos UNAM, Colecciones Universitarias

590.#.#.a: Administración central

883.#.#.1: http://www.ccud.unam.mx/

883.#.#.q: Dirección General de Repositorios Universitarios

850.#.#.a: Universidad Nacional Autónoma de México

856.4.0.u: http://datosabiertos.unam.mx/DGAPA:PAPIIT:IN110612

100.1.#.a: Citlali Sánchez Ake

524.#.#.a: Dirección de Desarrollo Académico, Dirección General de Asuntos del Personal Académico (DGAPA). "Depósito de películas delgadas de semiconductores dopadas con metales de transición mediante configuraciones alternativas de ablación láser", Proyectos Universitarios PAPIIT (PAPIIT). En "Portal de datos abiertos UNAM" (en línea), México, Universidad Nacional Autónoma de México.

720.#.#.a: Citlali Sánchez Ake

245.1.0.a: Depósito de películas delgadas de semiconductores dopadas con metales de transición mediante configuraciones alternativas de ablación láser

502.#.#.c: Universidad Nacional Autónoma de México

561.1.#.a: Centro de Ciencias Aplicadas y Desarrollo Tecnológico, UNAM

264.#.0.c: 2012

264.#.1.c: 2012

307.#.#.a: 2019-05-23 18:40:21.491

653.#.#.a: Plasmas aplicados al depósito de películas delgadas; Física

506.1.#.a: La titularidad de los derechos patrimoniales de este recurso digital pertenece a la Universidad Nacional Autónoma de México. Su uso se rige por una licencia Creative Commons BY 4.0 Internacional, https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/legalcode.es, fecha de asignación de la licencia 2012, para un uso diferente consultar al responsable jurídico del repositorio por medio de contacto@dgru.unam.mx

041.#.7.h: spa

500.#.#.a: Este proyecto consiste en el depósito de películas delgadas semiconductoras dopadas con metales de transición. Tal combinación de materiales ha recibido atención en los últimos años por la posibilidad de generar semiconductores magnéticos diluidos que poseen potenciales aplicaciones en lo que se conoce como “espintrónica” donde además de explotar la carga del electrón también se usa su espín como portador. Se han utilizado diversas técnicas de depósito para generar estos materiales. Sin embargo, los resultados de la caracterización de estas películas se han mostrado controversiales e incluso contradictorios, en particular respecto a la existencia de ferromagnetismo y a las temperaturas de Curie del material. Uno de los puntos medulares es la distribución de los elementos dopantes en el semiconductor. El comportamiento eléctrico y ferromagnético del material depende de si el elemento dopante se encuentra distribuido uniformemente, en cúmulos o bien segregado en una segunda fase. _x000D_ En este proyecto se propone utilizar técnicas de depósito en donde la incorporación del dopante es diferente que en los métodos convencionales, estas son configuraciones alternativas de ablación láser. En su forma convencional esta técnica consiste en arrancar material de un blanco al enfocar un haz láser pulsado de alta potencia sobre su superficie. Cuando el proceso se lleva a cabo en un medio a baja presión el plasma producido se expande algunos centímetros, de modo que las especies expulsadas por el blanco pueden depositarse sobre la superficie de un substrato colocado cerca del blanco. En este proyecto se usarán dos alternativas a la técnica convencional, una de ellas consiste en utilizar dos blancos y dos haces láser, uno para depositar la matriz de semiconductor y el otro para el elemento dopante. Esta configuración ha mostrado ser apropiada para el crecimiento de películas delgadas multicomponentes en donde se puede controlar in situ la concentración del dopante. No obstante estas ventajas hay escasos reportes donde se aplica al depósito de películas semiconductoras dopadas candidatas a DMS. La otra configuración propuesta en este proyecto es la combinación de las técnicas de ablación láser con sputtering, utilizando la primera para el dopante y la segunda para el semiconductor. Tal combinación también puede ser utilizada para modificar la concentración y la distribución del dopante in situ. Ambas técnicas alternativas de depósito se utilizarán para producir películas de ZnO y SnO2 con elementos de transición como dopantes. Dado que los procesos físicos ocurridos en el plasma durante el depósito determinan las propiedades de las muestras es necesario realizar estudios de los plasmas por diferentes técnicas. La idea es que tales análisis sirvan para controlar las características de las muestras. Entre los análisis propuestos se encuentra el estudio de la dinámica del plasma mediante fotografía rápida y la determinación de especies presentes y su energía por espectroscopía de emisión y sondas de Langmuir. Las películas serán caracterizadas por diversas técnicas para determinar su composición, estructura, morfología superficial, así como sus propiedades ópticas, eléctricas y magnéticas. _x000D_

046.#.#.j: 2019-11-14 12:26:40.706

264.#.1.b: Dirección General de Asuntos del Personal Académico

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856.#.0.q: text/html

last_modified: 2019-11-22 00:00:00

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license_type: by

No entro en nada

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