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520.3.#.a: En el presente trabajo estudiamos el comportamiento en presión del espectro de absorción óptica de una muestra monocristalina de AgGaS2, realizando medidas en el rango de energías del infrarrojo, desde 0.30 hasta 0.70 eV, para presiones P inferiores a 4 GPa y temperatura ambiente T, utilizando para ello una celda de yunques de diamantes en combinación con la técnica de micro-espectroscopia infrarroja [1]. Con este estudio determinamos la variación de su índice de refracción n en función de la presión, en el rango de estabilidad de la estructura calcopirita [2-6], asícomo la variación en presión de las constantes dieléctricas estática ("0) y de alta frecuencia ("1). Nuestros resultados del índice de refracción a presión y temperatura ambiente en el AgGaS2 pueden compararse con los valores experimentales reportados por Boyd et al. [7].

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No entro en nada

No entro en nada 2

Artículo

Dependencia con la presión del índice de refracción del AgGaS2

Power, Ch.; Chervin, J. C.; González, J.; Calderón, E.

Facultad de Ciencias, UNAM, publicado en Revista Mexicana de Física, y cosechado de Revistas UNAM

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Procedencia del contenido

Entidad o dependencia
Facultad de Ciencias, UNAM
Revista
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Contacto
Revistas UNAM. Dirección General de Publicaciones y Fomento Editorial, UNAM en revistas@unam.mx

Cita

Power, Ch., et al. (2011). Dependencia con la presión del índice de refracción del AgGaS2. Revista Mexicana de Física; Vol 57, No 001. Recuperado de https://repositorio.unam.mx/contenidos/41654

Descripción del recurso

Autor(es)
Power, Ch.; Chervin, J. C.; González, J.; Calderón, E.
Tipo
Artículo de Investigación
Área del conocimiento
Físico Matemáticas y Ciencias de la Tierra
Título
Dependencia con la presión del índice de refracción del AgGaS2
Fecha
2011-02-22
Resumen
En el presente trabajo estudiamos el comportamiento en presión del espectro de absorción óptica de una muestra monocristalina de AgGaS2, realizando medidas en el rango de energías del infrarrojo, desde 0.30 hasta 0.70 eV, para presiones P inferiores a 4 GPa y temperatura ambiente T, utilizando para ello una celda de yunques de diamantes en combinación con la técnica de micro-espectroscopia infrarroja [1]. Con este estudio determinamos la variación de su índice de refracción n en función de la presión, en el rango de estabilidad de la estructura calcopirita [2-6], asícomo la variación en presión de las constantes dieléctricas estática ("0) y de alta frecuencia ("1). Nuestros resultados del índice de refracción a presión y temperatura ambiente en el AgGaS2 pueden compararse con los valores experimentales reportados por Boyd et al. [7].
Tema
Semiconductores I-iii-vi2; Infrarrojo; Altas Presiones
Idioma
spa
ISSN
2683-2224 (digital); 0035-001X (impresa)

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