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No entro en nada 2

Artículo

Characterization of ALN thin films deposited by DC reactive magnetron sputtering

García Méndez, M.; Morales Rodríguez, S.; Machorro, R.; Cruz, W. de la

Facultad de Ciencias, UNAM, publicado en Revista Mexicana de Física, y cosechado de Revistas UNAM

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Facultad de Ciencias, UNAM
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Revistas UNAM. Dirección General de Publicaciones y Fomento Editorial, UNAM en revistas@unam.mx

Cita

García Méndez, M., et al. (2008). Characterization of ALN thin films deposited by DC reactive magnetron sputtering. Revista Mexicana de Física; Vol 54, No 4: 271-0. Recuperado de https://repositorio.unam.mx/contenidos/41493

Descripción del recurso

Autor(es)
García Méndez, M.; Morales Rodríguez, S.; Machorro, R.; Cruz, W. de la
Tipo
Artículo de Investigación
Área del conocimiento
Físico Matemáticas y Ciencias de la Tierra
Título
Characterization of ALN thin films deposited by DC reactive magnetron sputtering
Fecha
2008-01-01
Resumen
A set of AlN thin-films was prepared by reactive magnetron sputtering at room temperature. The purpose of this work was to study the effect of oxygen impurities on the structural and optical properties of AlN films. The structural and optical properties of the resulting films were characterized using X-ray diffraction (XRD) and spectroscopic ellipsometry, respectively. Depending on the deposition conditions, films can be hexagonal (wurtzite, P6 3 m3) or cubic (zinc blende, Fm3m) in their microstructure. From the optical measurements, the ellipsometric parameters (\psi ,\Δ ) and the real refractive index as a function of energy were obtained. From the ellipsometric measurements, a model of the Lorentz single-oscillator was employed to estimate the optical band gap, E g .
Tema
Reactive sputtering; thin films; AlN
Idioma
eng
ISSN
2683-2224 (digital); 0035-001X (impresa)

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