dor_id: 41609

506.#.#.a: Público

590.#.#.d: Los artículos enviados a la Revista Mexicana de Física se someten a un estricto proceso de revisión llevado a cabo por árbitros anónimos, independientes y especializados en todo el mundo.

510.0.#.a: Consejo Nacional de Ciencia y Tecnología (CONACyT), Sistema Regional de Información en Línea para Revistas Científicas de América Latina, el Caribe, España y Portugal (Latindex), Scientific Electronic Library Online (SciELO), SCOPUS, Web Of Science (WoS)

561.#.#.u: http://www.fciencias.unam.mx/

650.#.4.x: Físico Matemáticas y Ciencias de la Tierra

336.#.#.b: info:eu-repo/semantics/article

336.#.#.3: Artículo de Investigación

336.#.#.a: Artículo

351.#.#.6: https://rmf.smf.mx/ojs/rmf/index

351.#.#.b: Revista Mexicana de Física

351.#.#.a: Artículos

harvesting_group: RevistasUNAM

270.1.#.p: Revistas UNAM. Dirección General de Publicaciones y Fomento Editorial, UNAM en revistas@unam.mx

590.#.#.c: Open Journal Systems (OJS)

270.#.#.d: MX

270.1.#.d: México

590.#.#.b: Concentrador

883.#.#.u: http://www.revistas.unam.mx/front/

883.#.#.a: Revistas UNAM

590.#.#.a: Coordinación de Difusión Cultural

883.#.#.1: http://www.publicaciones.unam.mx/

883.#.#.q: Dirección General de Publicaciones y Fomento Editorial, UNAM

850.#.#.a: Universidad Nacional Autónoma de México

856.4.0.u: https://rmf.smf.mx/ojs/rmf/article/view/3751/3718

100.1.#.a: Gonzalez de la Cruz, G.; Gurevich, Yu. G.

524.#.#.a: Gonzalez de la Cruz, G., et al. (2010). Carrier heating effects on transport phenomena in intrinsic semiconductor thin films. Revista Mexicana de Física; Vol 56, No 3: 211-0. Recuperado de https://repositorio.unam.mx/contenidos/41609

245.1.0.a: Carrier heating effects on transport phenomena in intrinsic semiconductor thin films

502.#.#.c: Universidad Nacional Autónoma de México

561.1.#.a: Facultad de Ciencias, UNAM

264.#.0.c: 2010

264.#.1.c: 2010-01-01

653.#.#.a: Nonequilibrium charge carriers; electron heat diffusion; electron temperature

506.1.#.a: La titularidad de los derechos patrimoniales de esta obra pertenece a las instituciones editoras. Su uso se rige por una licencia Creative Commons BY-NC-ND 4.0 Internacional, https://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/legalcode.es, fecha de asignación de la licencia 2010-01-01, para un uso diferente consultar al responsable jurídico del repositorio por medio de rmf@ciencias.unam.mx

884.#.#.k: https://rmf.smf.mx/ojs/rmf/article/view/3751

001.#.#.#: oai:ojs.rmf.smf.mx:article/3751

041.#.7.h: eng

520.3.#.a: The excess of nonequilibrium charge carriers due to heating by electric fields influences substantially the electron heat-diffusion and the carrier current density in thin film semiconductors. With the assumption of hole and phonon thermal equilibrium, the current density for electrons and holes and electron heat flux in the semiconductor thin films are calculated analytically taking into account the contribution of the nonequilibrium of carriers and the electron temperature. By using the continuity equations for the carrier densities and energy balance equation with appropriate boundary conditions at the surfaces of the sample, we find that the current density and electron heat flux depend substantially on the size of the sample.

773.1.#.t: Revista Mexicana de Física; Vol 56, No 3 (2010): 211-0

773.1.#.o: https://rmf.smf.mx/ojs/rmf/index

046.#.#.j: 2020-11-25 00:00:00.000000

022.#.#.a: 2683-2224 (digital); 0035-001X (impresa)

310.#.#.a: Bimestral

264.#.1.b: Sociedad Mexicana de Física, A.C.

758.#.#.1: https://rmf.smf.mx/ojs/rmf/index

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856.#.0.q: application/pdf

last_modified: 2020-11-27 00:00:00

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No entro en nada

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