dor_id: 5040383

506.#.#.a: Público

590.#.#.d: No es revisada por pares

510.0.#.a: Latindex-Directorio; PERIÓDICA; SIC CONACULTA; IRESIE; CATMEX; Latinrev

561.#.#.u: https://www.tic.unam.mx/

650.#.4.x: Multidisciplina

336.#.#.b: article

336.#.#.3: Artículo de Divulgación

336.#.#.a: Artículo

351.#.#.6: https://www.ru.tic.unam.mx/handle/123456789/7

351.#.#.b: Revista Digital Universitaria

351.#.#.a: Tecnologías de la información y comunicación

harvesting_group: ru.dgtic

270.1.#.p: rutic@unam.mx

590.#.#.c: DSpace

270.#.#.d: MX

270.1.#.d: México

590.#.#.b: Universitario

883.#.#.u: http://www.ru.tic.unam.mx/

883.#.#.a: Repositorio de la Dirección General de Cómputo y de Tecnologías de Información y Comunicación "RU-TIC"

590.#.#.a: Administración Central

883.#.#.1: https://www.tic.unam.mx/

883.#.#.q: Dirección General de Cómputo y de Tecnologías de Información y Comunicación, UNAM

850.#.#.a: Universidad Nacional Autónoma de México

856.4.0.u: http://www.revista.unam.mx/index30jun2002.html

100.1.#.a: Martinez Orozco, Juan Carlos; Gaggero Sager, Luis Manuel

100.1.#.0: Martinez Orozco, Juan Carlos: cvu:39645; Gaggero Sager, Luis Manuel: cvu:19628

524.#.#.a: Martinez Orozco, Juan Carlos y Gaggero Sager, Luis Manuel (2002). Cálculo de la capacitancia diferencial en transistores de efecto de campo en GaAs. Coordinación de Universidad Abierta, Innovación Educativa y Educación a Distancia, UNAM; Dirección General de Cómputo y de Tecnologías de Información y Comunicación, UNAM. Recuperado de https://repositorio.unam.mx/contenidos/5040383

720.#.#.a: Guerra Ortiz, Victor Manuel (director)

245.1.0.a: Cálculo de la capacitancia diferencial en transistores de efecto de campo en GaAs

502.#.#.c: Universidad Nacional Autónoma de México

561.1.#.a: Dirección General de Cómputo y de Tecnologías de Información y Comunicación, UNAM

264.#.0.c: 2002

264.#.1.c: 2002-06-30

307.#.#.a: 2018-06-28T04:36:32Z

653.#.#.a: Capacitancia; Voltaje; Dispositivos semiconductores y Capacitancia diferencial

506.1.#.a: La titularidad de los derechos patrimoniales de esta obra pertenece a la Universidad Nacional Autónoma de México. Su uso se rige por una licencia Creative Commons BY-NC-SA 4.0 Internacional, https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/4.0/legalcode.es, fecha de asignación de la licencia 2018-06-28, para un uso diferente consultar al responsable jurídico del repositorio por medio del correo electrónico rutic@unam.mx

884.#.#.k: http://ru.tic.unam.mx/handle/123456789/1110

001.#.#.#: oai:ru.tic.unam.mx:123456789/1110

041.#.7.h: spa

520.3.#.a: Se efectúa el cálculo de la capacitancia diferencial para dos transistores de efecto de campo (FET) con dopamiento en una y dos capas atómicas (d-FET y ALD-FET) en una matriz de GaAs, haciendo uso de un modelo sencillo que proponemos para la descripción del potencial de cada dispositivo. Este modelo nos proporciona la forma de la banda de conducción para este par de dispositivos. Además nos da el ancho de la región de empobrecimiento que usamos posteriormente para calcular la capacitancia diferencial. Demostramos que el método experimental Capacitancia-Voltaje (C-V) convencional, comúnmente usado para extraer información de los parámetros del dispositivo, no es aplicable en estos casos. Para extraer esta información es necesario utilizar el modelo propuesto en este artículo; We calculate the differential capacitance for two Field Effect Transistors (FET) with one and two delta-doped layers (d-FET and ALD-FET) in a GaAs matrix using a simple model, which is proposed to describe the potential profile. This model gives the shape of the conduction band for these two particular devices. It also provides the depletion region width used to calculate the differential capacitance. We show that the conventional experimental Capacitance-Voltage (C-V) method used to seek information about the parameters of the device is not the correct one in this case. In order to be able to extract this information it is necessary to use the model proposed in this pape.

500.#.#.a: Artículos.

773.1.#.t: Revista Digital Universitaria

773.1.#.o: https://www.revista.unam.mx/

046.#.#.j: 2018-06-28T04:36:32Z

310.#.#.a: Bimestral

300.#.#.a: 32.5 kb

264.#.1.b: Coordinación de Universidad Abierta, Innovación Educativa y Educación a Distancia, UNAM; Dirección General de Cómputo y de Tecnologías de Información y Comunicación, UNAM

900.#.#.c: Revista Digital Universitaria (1607 - 6079). Vol. 3, No.2 (2002) -- http://www.revista.unam.mx/index30jun2002.html

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No entro en nada

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