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506.#.#.a: Público

590.#.#.d: Los artículos enviados a Mundo nano. Revista Interdisciplinaria en Nanociencias y Nanotecnología se juzgan por medio de un proceso de revisión por pares

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650.#.4.x: Multidisciplina

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336.#.#.3: Artículo de Investigación

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270.#.#.d: MX

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041.#.7.h: spa

520.3.#.a: Scanning transmission electron microscopy (STEM) offers techniques which may give structural and chemical information down to 0.1 nm of spatial resolution, which sub-angstrom resolution is achieved with a spherical aberration corrector. In the STEM, the electron probe is focused and scanned over the sample and the image is formed by measuring the electron signal arising after the electrons-specimen interactions. The scattered electron signals can be employed to obtain bright and dark field images. The STEM is a powerful instrument to understand the physical properties of nanostructures which requires the local structure and local chemistry to be determined at the atomic scale. Therefore STEM is a technique able to identify the position of atoms and atomic columns. In this work, the basic instrumental parameters before applications were evaluated. And also, experimental high angle annular dark field (HAADF)-STEM and annular bright field (ABF)-STEM images of LaAlO3 sample were obtained at low voltages and compared with simulated images obtained with the multislice method. Images simulated were found to agree well with experimental images. Microscopía electrónica de transmisión/barrido (STEM) ofrece información estructural y química del orden de 0.1 nm de resolución espacial, tal resolución es llevada a cabo mediante el corrector de aberración esférica. En el STEM, un haz de electrones es enfocado y escaneado sobre la muestra, por lo que la imagen es formada midiendo la señal electrónica que surge después de las interacciones electrones-muestra. La señal de los electrones dispersados puede ser empleada para obtener imágenes de campo claro y campo obscuro. El microscopio STEM es un poderoso instrumento para estudiar las propiedades físicas de las nanoestructuras, que requieren de un análisis estructural y químico a nivel atómico. Por lo tanto, STEM es una técnica capaz de identificar la posición de los átomos y las columnas atómicas. En este trabajo, los parámetros instrumentales básicos del microscopio antes de sus aplicaciones fueron evaluados. Además, imágenes experimentales de campo oscuro anular de alto ángulo (HAADF)-STEM y campo claro anular (ABF)-STEM de una muestra de LaAlO3 fueron obtenidas a bajos voltajes de operación y comparadas con imágenes simuladas obtenidas con el método de multicapas. Se encontró que las imágenes simuladas coinciden bien con las imágenes experimentales.

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245.1.0.b: Resolución atómica de elementos ligeros utilizando haadf y abf-stem con corrección de cs y bajo voltaje

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Artículo

Atomic resolution imaging of light elements using low voltage Cs-corrected HAADF and ABF-STEM

Esparza Muñoz, Rodrigo

Centro de Investigaciones Interdisciplinarias en Ciencias y Humanidades, UNAM; Instituto de Ciencias Aplicadas y Tecnología, UNAM; Centro de Nanociencias y Nanotecnología, UNAM, publicado en Mundo nano. Revista Interdisciplinaria en Nanociencias y Nanotecnología, y cosechado de Revistas UNAM

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Procedencia del contenido

Cita

Esparza Muñoz, Rodrigo (2020). Atomic resolution imaging of light elements using low voltage Cs-corrected HAADF and ABF-STEM. Mundo Nano. Revista Interdisciplinaria en Nanociencias y Nanotecnología; Vol. 13 Núm. 25, 2020; 45-60. Recuperado de https://repositorio.unam.mx/contenidos/4121900

Descripción del recurso

Autor(es)
Esparza Muñoz, Rodrigo
Tipo
Artículo de Investigación
Área del conocimiento
Multidisciplina
Título
Atomic resolution imaging of light elements using low voltage Cs-corrected HAADF and ABF-STEM
Fecha
2020-07-02
Resumen
Scanning transmission electron microscopy (STEM) offers techniques which may give structural and chemical information down to 0.1 nm of spatial resolution, which sub-angstrom resolution is achieved with a spherical aberration corrector. In the STEM, the electron probe is focused and scanned over the sample and the image is formed by measuring the electron signal arising after the electrons-specimen interactions. The scattered electron signals can be employed to obtain bright and dark field images. The STEM is a powerful instrument to understand the physical properties of nanostructures which requires the local structure and local chemistry to be determined at the atomic scale. Therefore STEM is a technique able to identify the position of atoms and atomic columns. In this work, the basic instrumental parameters before applications were evaluated. And also, experimental high angle annular dark field (HAADF)-STEM and annular bright field (ABF)-STEM images of LaAlO3 sample were obtained at low voltages and compared with simulated images obtained with the multislice method. Images simulated were found to agree well with experimental images. Microscopía electrónica de transmisión/barrido (STEM) ofrece información estructural y química del orden de 0.1 nm de resolución espacial, tal resolución es llevada a cabo mediante el corrector de aberración esférica. En el STEM, un haz de electrones es enfocado y escaneado sobre la muestra, por lo que la imagen es formada midiendo la señal electrónica que surge después de las interacciones electrones-muestra. La señal de los electrones dispersados puede ser empleada para obtener imágenes de campo claro y campo obscuro. El microscopio STEM es un poderoso instrumento para estudiar las propiedades físicas de las nanoestructuras, que requieren de un análisis estructural y químico a nivel atómico. Por lo tanto, STEM es una técnica capaz de identificar la posición de los átomos y las columnas atómicas. En este trabajo, los parámetros instrumentales básicos del microscopio antes de sus aplicaciones fueron evaluados. Además, imágenes experimentales de campo oscuro anular de alto ángulo (HAADF)-STEM y campo claro anular (ABF)-STEM de una muestra de LaAlO3 fueron obtenidas a bajos voltajes de operación y comparadas con imágenes simuladas obtenidas con el método de multicapas. Se encontró que las imágenes simuladas coinciden bien con las imágenes experimentales.
Idioma
spa
ISSN
ISSN electrónico: 2448-5691; ISSN impreso: 2007-5979

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