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No entro en nada

No entro en nada 2

Artículo

Annealing effects on the mass diffusion of the CdS/ITO interface deposited by chemical bath deposition

Ordaz Flores, A.; Bartolo Pérez, P.; Castro Rodríguez, R.; Oliva, A. I.

Facultad de Ciencias, UNAM, publicado en Revista Mexicana de Física, y cosechado de Revistas UNAM

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Facultad de Ciencias, UNAM
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Revistas UNAM. Dirección General de Publicaciones y Fomento Editorial, UNAM en revistas@unam.mx

Cita

Ordaz Flores, A., et al. (2006). Annealing effects on the mass diffusion of the CdS/ITO interface deposited by chemical bath deposition. Revista Mexicana de Física; Vol 52, No 1: 15-0. Recuperado de https://repositorio.unam.mx/contenidos/41301

Descripción del recurso

Autor(es)
Ordaz Flores, A.; Bartolo Pérez, P.; Castro Rodríguez, R.; Oliva, A. I.
Tipo
Artículo de Investigación
Área del conocimiento
Físico Matemáticas y Ciencias de la Tierra
Título
Annealing effects on the mass diffusion of the CdS/ITO interface deposited by chemical bath deposition
Fecha
2006-01-01
Resumen
Cadmium sulphide thin films prepared by chemical bath deposition (CBD) were deposited on indium tin oxide (ITO) substrates with different deposition times (i.e. thickness) and characterised by their morphology and band gap energy. Samples were analysed as deposited and after annealing at 90 and 150\∘ C, in order to study the interface diffusion and its effects on the properties mentioned. Auger depth profiles were used to determine the mass diffusivity coefficient in the CdS/ITO interface. The initial surface rms-roughness measured with AFM, as well as the initial band gap energy, are reduced after the annealing process. We obtained very small diffusion coefficient values, around \ 10-21m2s,for the different elements analysed in the interface.
Tema
CdS/ITO interface; CBD; CdS films; ITO substrate; mass diffusion
Idioma
eng
ISSN
2683-2224 (digital); 0035-001X (impresa)

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