Artículo

A Silicon Magnetic-Field Sensor: Low-Temperature Performance Evaluation

Garcí­a Ramí­rez, P.J.; Sandoval Ibarra, F.; Gutiérrez Domí­nguez, E.A.

Instituto de Ciencias Aplicadas y Tecnología, UNAM, publicado en Journal of Applied Research and Technology ( (Revistas UNAM)

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Procedencia del contenido

Cita

Garcí­a Ramí­rez, P.J., et al. (2007). A Silicon Magnetic-Field Sensor: Low-Temperature Performance Evaluation. Journal of Applied Research and Technology; Vol. 5 Núm. 03. Recuperado de https://repositorio.unam.mx/contenidos/45365

Descripción del recurso

Autor(es)
Garcí­a Ramí­rez, P.J.; Sandoval Ibarra, F.; Gutiérrez Domí­nguez, E.A.
Tipo
Artículo de Investigación
Área del conocimiento
Ingenierías
Título
A Silicon Magnetic-Field Sensor: Low-Temperature Performance Evaluation
Fecha
2007-12-01
Resumen
A Si magnetic field-sensitive split-drain MOSFET has been used to study and analyze the effects of a magnetic field on the charge carrier conduction at liquid-nitrogen temperature. In magnetic field sensors (MFS), a key parameter is the Hall angle, which indicates the current line deviation due to the Lorentz force acting on the charge carriers. If temperature is lowered, the carrier mobility increases, therefore, an increase in carrier deflection is expected. To understand the internal deflection of carriers, and optimize the design of a magnetic field sensor, a semi-analytic model has been developed. Using such a model, a MFS has been fabricated and tested. The first experimental results are presented in this work.
Tema
Transducers; Magnetic Field Sensors; Mos Technology; Integrated Circuits
Idioma
eng
ISSN
ISSN electrónico: 2448-6736; ISSN: 1665-6423
DOI
https://doi.org/10.22201/icat.16656423.2007.5.03.527

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