Artículo

Crecimiento de películas de CdTe:Al

González Alcudia, M.; Zapata Torres, M.; Meléndez Lira, M.; Peña, J. L.

Facultad de Ciencias, UNAM, publicado en Revista Mexicana de Física ( (Revistas UNAM)

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Procedencia del contenido

Entidad o dependencia
Facultad de Ciencias, UNAM
Revista
Revista Mexicana de Física
Repositorio
Revistas UNAM
Contacto
Revistas UNAM. Dirección General de Publicaciones y Fomento Editorial, UNAM en revistas@unam.mx

Cita

González Alcudia, M., et al. (2006). Crecimiento de películas de CdTe:Al. Revista Mexicana de Física; Vol 52, No 1: 48-0. Recuperado de https://repositorio.unam.mx/contenidos/41298

Descripción del recurso

Autor(es)
González Alcudia, M.; Zapata Torres, M.; Meléndez Lira, M.; Peña, J. L.
Tipo
Artículo de Investigación
Área del conocimiento
Físico Matemáticas y Ciencias de la Tierra
Título
Crecimiento de películas de CdTe:Al
Fecha
2006-01-01
Resumen
CdTe:Al films were grown by the close space vapor transport technique combined with free evaporation (CSVT-FE). The Aluminum (Al) evaporation was made by two kinds of sources: one made of graphite and the other of tantalum. The films were deposited on glass substrates. The Al source temperatura was varied maintaining the CdTe source temperature fixed as well as the substrate temperature. The films were characterized by x-ray energy dispersive analysis (EDAX), x ray diffraction and optical transmission. The results showed for the films grown with the graphite source for Al evaporation, the Al did not incorporate in the CdTe matrix, at least to the level of EDAX sensitivity; they maintained the same crystal structure and band gap. For the samples grown with the tantalum source, we were able to incorporate the Al. The x ray diffraction patterns show that the films have a crystal structure that depends on Al concentration. They were cubic up to 2.16 at.% Al concentration; for 19.65 at.% we found a mixed phase; for Al concentration higher than 21 at.% the films were amorphous. For samples with cubic structure it was found that the lattice parameter decreasesand the band gap increases with Al concentration.
Tema
CdTe:Al films; crystal structure
Idioma
eng
ISSN
2683-2224 (digital); 0035-001X (impresa)

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