Artículo

Analyse of the lateral surface generation in MOS structures

Peykov, P.; Aceves, M.; Diaz, T.

Facultad de Ciencias, UNAM, publicado en Revista Mexicana de Física ( (Revistas UNAM)

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Procedencia del contenido

Entidad o dependencia
Facultad de Ciencias, UNAM
Revista
Revista Mexicana de Física
Repositorio
Revistas UNAM
Contacto
Revistas UNAM. Dirección General de Publicaciones y Fomento Editorial, UNAM en revistas@unam.mx

Cita

Peykov, P., et al. (2004). Analyse of the lateral surface generation in MOS structures. Revista Mexicana de Física; Vol 50, No 1: 1-0. Recuperado de https://repositorio.unam.mx/contenidos/40785

Descripción del recurso

Autor(es)
Peykov, P.; Aceves, M.; Diaz, T.
Tipo
Artículo de Investigación
Área del conocimiento
Físico Matemáticas y Ciencias de la Tierra
Título
Analyse of the lateral surface generation in MOS structures
Fecha
2004-01-01
Resumen
In the measurements of the generation lifetime, using the method of Zerbst, an effective generation lifetime is measured. According to the model used, this parameter includes the real generation lifetime, surface generation velocity at the depleted lateral space charge region and the diameter of the gate. In this paper is shown that not all but part of the lateral space charge region is fully depleted during the time of measurement. A correction of the model, taking into account the contribution of surface generation velocity only on the depleted lateral space charge region to the generation process, is proposed. The influence of this correction on the generation lifetime obtained by the method of Zerbst is shown.
Tema
MOS structures; generation lifetime; surface generation velocity
Idioma
eng
ISSN
2683-2224 (digital); 0035-001X (impresa)

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